Справочник MOSFET. PNM723T30V01

 

PNM723T30V01 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PNM723T30V01
   Маркировка: P7L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.5(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: SOT723

 Аналог (замена) для PNM723T30V01

 

 

PNM723T30V01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1550K  prisemi
 pnm723t30v01.pdf

PNM723T30V01 PNM723T30V01

PNM723T30V01N-Channel MOSFETDescriptionPNM723T30V01 is designed for high speed switching applicationsThe enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance.D3MOSFET Product SummaryV (V) R () V (V) I (A)DS DS(on) GS(th) D30 7@ V =2.5V,I =10mA 0.5 to 1.5 0.1GS DG1S2Electrical characteristics per line@25( unless otherwise spec

 7.1. Size:182K  prisemi
 pnm723t201e0.pdf

PNM723T30V01 PNM723T30V01

PNM723T201E0 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, D3 low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary V (V) R () I (A) DS DS(on) D0.2@ V =4.5V GSG1 20 0.25@ VGS=2.5V 1 0.31@ V =1.8V GSS2Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage V 20

 7.2. Size:586K  prisemi
 pnm723t703e0-2.pdf

PNM723T30V01 PNM723T30V01

PNM723T703E0-2 N-Channel MOSFET Description PNM723T703E0-2 is designed for high speed switching applications The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary R () V (V) DS(on) V (V) I (A) DS GS(th) DG1 40 7.5@ V =10V 0.5 to 1.5 0.18 GSS2Electrical characteristics per line@25( unless othe

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top