PJA3460 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJA3460  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PJA3460

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJA3460 даташит

 ..1. Size:402K  panjit
 pja3460.pdf pdf_icon

PJA3460

PPJA3460 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) 60 V 2.5 A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@2.0A

 9.1. Size:206K  panjit
 pja3413.pdf pdf_icon

PJA3460

PPJA3413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -3.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.4A

 9.2. Size:272K  panjit
 pja3430.pdf pdf_icon

PJA3460

PPJA3430 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit inch(mm) 20 V 2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@2.0A

 9.3. Size:206K  panjit
 pja3412.pdf pdf_icon

PJA3460

PPJA3412 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) 20 V 4.1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@4.1A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PPMT2301, PJ2301-AU, PJA3415AE, PJA3416AE, PJA3417, PJA3419, PJA3439, PJA3441, AOD4184A, PJL9418, PJQ1900, PJQ5476AL, PJS6403, PJV1702, PJW4N06A, PJW4N06A-AU, PJW7N06A