Справочник MOSFET. PJA3460

 

PJA3460 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJA3460
   Маркировка: A60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PJA3460 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  panjit
pja3460.pdfpdf_icon

PJA3460

PPJA3460 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm) 60 V 2.5 A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@2.0A

 9.1. Size:206K  panjit
pja3413.pdfpdf_icon

PJA3460

PPJA3413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -3.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.4A

 9.2. Size:272K  panjit
pja3430.pdfpdf_icon

PJA3460

PPJA3430 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@2.0A

 9.3. Size:206K  panjit
pja3412.pdfpdf_icon

PJA3460

PPJA3412 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 4.1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@4.1A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDBL86366F085 | STN4416 | VS5814DS | CHM8933AJGP

 

 
Back to Top

 


 
.