Справочник MOSFET. PJS6403

 

PJS6403 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJS6403
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PJS6403 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  panjit
pjs6403.pdfpdf_icon

PJS6403

PPJS6403 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -6.4A Features RDS(ON), VGS@-10V, ID@-4A

 8.1. Size:287K  panjit
pjs6400.pdfpdf_icon

PJS6403

PPJS6400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage 30 V Current 6.4A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@6.4A

 8.2. Size:256K  panjit
pjs6407.pdfpdf_icon

PJS6403

PPJS6407 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -4.9A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-4.9A

 8.3. Size:268K  panjit
pjs6401.pdfpdf_icon

PJS6403

PPJS6401 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -4.6A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-4.6A

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: KP809D | FDD9407-F085 | IRFSZ34A | VMM1500-0075X2 | TPH4R008NH | IXFN100N10S1 | NCE2301A

 

 
Back to Top

 


 
.