Справочник MOSFET. PTD3004

 

PTD3004 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTD3004
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PTD3004

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTD3004 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:509K  cn puolop
 ptd3004.pdf pdf_icon

PTD3004

PTD3004 30V/50A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Low RDS(on) @ 5V Logic. BVDSS 30 V 5V Logic Level Control ID 50 A 0 TO-252 SMD Package RDSON@VGS=10V 10 m Pb-Free, RoHS Compliant RDSON@VGS=5V 13 m Applications High Side Load Switch Battery Switch Optimized for Power Management Applications for S Portable Products, such a

 8.1. Size:456K  cn puolop
 ptd3006.pdf pdf_icon

PTD3004

PTD3006 30V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Low On-Resistance Fast Switching 100% Avalanche Tested Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Description D PTD3006 designed by the trench process techniques to achieve extremely low on-resistance. Additional features of this design can operate at high junction tem

Другие MOSFET... PT4407 , PT4606 , PT4953 , PT8810 , PT9435 , PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , IRFP250N , PTD3006 , PTD4080B , PTD4N60 , PTD50N06 , PTD60N02 , PTD7N65 , PTD80N06 , PTF10N65 .

History: IRFBC40APBF | STF28NM50N | IPD80N04S3-06 | AP65PN2R6L | TPP80R300C | HGK020N10S | SVF18NE50PN

 

 
Back to Top

 


 
.