TN0104N3
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TN0104N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.6
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 0.45
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Cossⓘ - Выходная емкость: 70
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8
Ohm
Тип корпуса:
TO92
Аналог (замена) для TN0104N3
TN0104N3
Datasheet (PDF)
8.1. Size:730K supertex
tn0104.pdf Supertex inc. TN0104N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold (1.6V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor High input impedance utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low input capacitance silicon-gate manufacturing process. This combination produces Fast switching sp
9.1. Size:602K supertex
tn0106.pdf Supertex inc. TN0106N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETGeneral DescriptionFeaturesThis low threshold, enhancement-mode (normally-off) Low threshold - 2.0V max.transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs High input impedancewell-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance - 50pF typicalcombination produces a
9.2. Size:163K ape
ap10tn010cmt.pdf AP10TN010CMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 100VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Lower On-resistance ID 49AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP10TN010C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the
Другие MOSFET... TA17650
, TA17656
, TA75307
, TA75309
, TA75321
, TA75329
, TA75333
, TA75339
, AON6414A
, TN0104N8
, VN10LF
, VN10LP
, VN2222LL
, ZDM4206N
, ZDM4306N
, ZVN0120A
, ZVN0124A
.