TN0104N3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TN0104N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.45 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 70 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.8 Ohm
Тип корпуса: TO92
TN0104N3 Datasheet (PDF)
tn0104.pdf
Supertex inc. TN0104N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold (1.6V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor High input impedance utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low input capacitance silicon-gate manufacturing process. This combination produces Fast switching sp
tn0106.pdf
Supertex inc. TN0106N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETGeneral DescriptionFeaturesThis low threshold, enhancement-mode (normally-off) Low threshold - 2.0V max.transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs High input impedancewell-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance - 50pF typicalcombination produces a
ap10tn010cmt.pdf
AP10TN010CMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 100VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Lower On-resistance ID 49AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP10TN010C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the
Другие MOSFET... TA17650 , TA17656 , TA75307 , TA75309 , TA75321 , TA75329 , TA75333 , TA75339 , IRFP260N , TN0104N8 , VN10LF , VN10LP , VN2222LL , ZDM4206N , ZDM4306N , ZVN0120A , ZVN0124A .
