Справочник MOSFET. SWB12N65D

 

SWB12N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWB12N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 183.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 157 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWB12N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1141K  samwin
 swf12n65d swu12n65d swp12n65d swb12n65d.pdf pdf_icon

SWB12N65D

SW12N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220F TO-262 TO-220 TO-263 BVDSS : 650V High ruggedness ID : 12A Low RDS(ON) (Typ 0.7)@VGS=10V RDS(ON) : 0.7 Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 3 Application:Charger,LED,PC Power 3 3 3 1. Gate 2.

 ..2. Size:1147K  samwin
 sw12n65d swf12n65d swu12n65d swp12n65d swb12n65d.pdf pdf_icon

SWB12N65D

SW12N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-262 TO-220F TO-220 TO-263 BVDSS : 650V High ruggedness ID : 12A Low RDS(ON) (Typ 0.7)@VGS=10V RDS(ON) : 0.7 Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 3 Application:Charge,LED,PC Power 3 3 3 1. Gate 2

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CHM456NZGP | WMJ38N60C2 | 2SK1773 | BF997 | AO6804A | FC4B21320L | FQB6N40C

 

 
Back to Top

 


 
.