Справочник MOSFET. SWH15P03

 

SWH15P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWH15P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 344 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для SWH15P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWH15P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:830K  samwin
 swk15p03 swh15p03.pdf pdf_icon

SWH15P03

SW15P03 P-channel Enhanced mode SOP-8/DFN3*3 MOSFET Features BVDSS : -30V SOP-8 DFN3*3 High ruggedness ID : -15A D Low RDS(ON) (Typ 14m)@VGS=-4.5V D D Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=-10V RDS(ON) : 14m @VGS=-4.5V D G Low Gate Charge (Typ 48nC) S 10m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability S S 100% Avalanche Tested D App

 ..2. Size:830K  samwin
 sw15p03 swk15p03 swh15p03.pdf pdf_icon

SWH15P03

SW15P03 P-channel Enhanced mode SOP-8/DFN3*3 MOSFET Features BVDSS : -30V SOP-8 DFN3*3 High ruggedness ID : -15A D Low RDS(ON) (Typ 14m)@VGS=-4.5V D D Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=-10V RDS(ON) : 14m @VGS=-4.5V D G Low Gate Charge (Typ 48nC) S 10m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability S S 100% Avalanche Tested D App

 7.1. Size:997K  samwin
 swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf pdf_icon

SWH15P03

SW15P02 P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : -20V TO-251 TO-252 DFN3*3 DFN5*6 High ruggedness ID : -15A Low RDS(ON) (Typ 9.4m)@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.1m)@VGS=-10V RDS(ON) : 9.4m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 91nC) 8.1m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1

 7.2. Size:997K  samwin
 sw15p02 swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf pdf_icon

SWH15P03

SW15P02 P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : -20V TO-251 TO-252 DFN3*3 DFN5*6 High ruggedness ID : -15A Low RDS(ON) (Typ 9.4m)@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.1m)@VGS=-10V RDS(ON) : 9.4m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 91nC) 8.1m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWMN12N70D , SWY12N70D , SWF15N65D , SWI15P02 , SWD15P02 , SWH15P02 , SWHA15P02 , SWK15P03 , 60N06 , SWF16N65D , SWP16N65K , SWF16N65K , SWB16N65K , SWF18N50D , SWT18N50D , SWF18N65D , SWT18N65D .

History: SSF5NS70D | NP180N055TUJ | WMM07N60C4 | IXFA102N15T | KNB3208A | 1H10 | IRLU8721PBF

 

 
Back to Top

 


 
.