Справочник MOSFET. SWF16N65K

 

SWF16N65K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWF16N65K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для SWF16N65K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF16N65K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1213K  samwin
sw16n65k swp16n65k swf16n65k swb16n65k.pdfpdf_icon

SWF16N65K

SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS : 650V ID : 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23)@VGS=10V RDS(ON) :0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:LED, Charge, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

 ..2. Size:1143K  samwin
swp16n65k swf16n65k swb16n65k.pdfpdf_icon

SWF16N65K

SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS : 650V ID : 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23)@VGS=10V RDS(ON) :0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:LED, Charger, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

 6.1. Size:820K  samwin
sw16n65d swf16n65d.pdfpdf_icon

SWF16N65K

SW16N65DN-channel Enhanced mode TO-220F MOSFETFeaturesTO-220FBVDSS : 650V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.46)@VGS=10VID : 16A Low Gate Charge (Typ 68nC)RDS(ON) : 0.46 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application: Charger, Adaptor, LED2311. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description 3This power MOSFET is produce

 6.2. Size:820K  samwin
swf16n65d.pdfpdf_icon

SWF16N65K

SW16N65DN-channel Enhanced mode TO-220F MOSFETFeaturesTO-220FBVDSS : 650V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.46)@VGS=10VID : 16A Low Gate Charge (Typ 68nC)RDS(ON) : 0.46 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application: Charger, Adaptor, LED2311. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description 3This power MOSFET is produce

Другие MOSFET... SWI15P02 , SWD15P02 , SWH15P02 , SWHA15P02 , SWK15P03 , SWH15P03 , SWF16N65D , SWP16N65K , EMB04N03H , SWB16N65K , SWF18N50D , SWT18N50D , SWF18N65D , SWT18N65D , SWF20N60K , SWF20N65K2 , SWK350R06VT .

History: HM25P06K | SFG08R06DF | HYG013N03LS1C2 | SI5429DU | NCEP039N10MD | SSD2504 | IRFR410

 

 
Back to Top

 


 
.