Справочник MOSFET. SWF16N65K

 

SWF16N65K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWF16N65K
   Маркировка: SW16N65K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
   trⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для SWF16N65K

 

 

SWF16N65K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1213K  samwin
 sw16n65k swp16n65k swf16n65k swb16n65k.pdf

SWF16N65K SWF16N65K

SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS : 650V ID : 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23)@VGS=10V RDS(ON) :0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:LED, Charge, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

 ..2. Size:1143K  samwin
 swp16n65k swf16n65k swb16n65k.pdf

SWF16N65K SWF16N65K

SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS : 650V ID : 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23)@VGS=10V RDS(ON) :0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:LED, Charger, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

 6.1. Size:820K  samwin
 sw16n65d swf16n65d.pdf

SWF16N65K SWF16N65K

SW16N65DN-channel Enhanced mode TO-220F MOSFETFeaturesTO-220FBVDSS : 650V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.46)@VGS=10VID : 16A Low Gate Charge (Typ 68nC)RDS(ON) : 0.46 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application: Charger, Adaptor, LED2311. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description 3This power MOSFET is produce

 6.2. Size:820K  samwin
 swf16n65d.pdf

SWF16N65K SWF16N65K

SW16N65DN-channel Enhanced mode TO-220F MOSFETFeaturesTO-220FBVDSS : 650V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.46)@VGS=10VID : 16A Low Gate Charge (Typ 68nC)RDS(ON) : 0.46 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application: Charger, Adaptor, LED2311. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description 3This power MOSFET is produce

 7.1. Size:590K  samwin
 swf16n60d.pdf

SWF16N65K SWF16N65K

SW16N60D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 600V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.4)@VGS=10V ID : 16A Low Gate Charge (Typ 68nC) RDS(ON) : 0.4 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application: LED, PC Power, Charger 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This pow

 7.2. Size:724K  samwin
 swf16n60k.pdf

SWF16N65K SWF16N65K

SW16N60K N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 600V ID : 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.21)@VGS=10V RDS(ON) :0.21 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application:LED, Charger, PC Power 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MO

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HSL03N20

 

 
Back to Top