Справочник MOSFET. SWT18N65D

 

SWT18N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWT18N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 255 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT18N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:932K  samwin
 swf18n65d swt18n65d.pdf pdf_icon

SWT18N65D

SW18N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 18A High ruggedness RDS(ON) : 0.35 Low RDS(ON) (Typ 0.35)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 79nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 1 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gen

 ..2. Size:621K  samwin
 sw18n65d swf18n65d swt18n65d.pdf pdf_icon

SWT18N65D

SW18N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 18A High ruggedness RDS(ON) : 0.35 Low RDS(ON) (Typ 0.35)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 79nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 1 3 Application: LED , Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gene

 8.1. Size:911K  samwin
 swf18n50d swt18n50d.pdf pdf_icon

SWT18N65D

SW18N50D N-channel Enhanced mode TO-220F /TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS : 500V Features ID : 18A High ruggedness RDS(ON) : 0.24 Low RDS(ON) (Typ 0.24)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 88nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General

 8.2. Size:652K  samwin
 sw18n50d swf18n50d swt18n50d.pdf pdf_icon

SWT18N65D

SW18N50D N-channel Enhanced mode TO-220F /TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS : 500V Features ID : 18A High ruggedness RDS(ON) : 0.24 Low RDS(ON) (Typ 0.24)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 88nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application: LED , Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SVS65R240L8AD4TR | BUK9225-55A

 

 
Back to Top

 


 
.