SWI4N60DC - описание и поиск аналогов

 

SWI4N60DC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI4N60DC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWI4N60DC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI4N60DC даташит

 ..1. Size:628K  samwin
sw4n60dc swi4n60dc swd4n60dc.pdfpdf_icon

SWI4N60DC

SW4N60DC N-channel Enhancement mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS 600V ID 4A High ruggedness RDS(ON) (Typ 2.0 )@VGS=10V RDS(ON) 2.0 Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 1 2 1 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 Application LED,Charge 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is produce

 ..2. Size:610K  samwin
swi4n60dc swd4n60dc.pdfpdf_icon

SWI4N60DC

SW4N60DC N-channel Enhancement mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS 600V ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.0 )@VGS=10V RDS(ON) 2.0 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 Application LED,Charger 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descrip

 6.1. Size:916K  samwin
swf4n60d swy4n60d swi4n60d swsi4n60d swmi4n60d swd4n60d.pdfpdf_icon

SWI4N60DC

SW4N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220FT/TO-251/S/M/TO-252 MOSFET Features BVDSS 600V TO-251S TO-251M TO-252 TO-220F TO-220FT TO-251 ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9 ) RDS(ON) 1.9 @VGS=10V Low Gate Charge (Typ 18nC) 1 1 1 2 1 1 2 1 2 2 2 3 Improved dv/dt Capability 2 3 3 2 3 3 3 100% Avalanche T

 7.1. Size:958K  samwin
swf4n60k swi4n60k swd4n60k.pdfpdf_icon

SWI4N60DC

SW4N60K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251 TO-252 BVDSS 600V High ruggedness ID 4A Low RDS(ON) (Typ 1 )@VGS=10V RDS(ON) 1 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application Adapter,LED, Charger 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3

Другие MOSFET... SWT18N65D , SWF20N60K , SWF20N65K2 , SWK350R06VT , SWI350R06VT , SWD350R06VT , SWT38N65KF , SWT47N65K2 , IRF740 , SWD4N60DC , SWF4N65D , SWN4N65D , SWSI4N65D , SWMI4N65D , SWUI4N65D , SWD4N65D , SWS4N65D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.