SWN4N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SWN4N65D
Маркировка: SW4N65D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 101 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для SWN4N65D
SWN4N65D Datasheet (PDF)
swf4n65d swn4n65d swsi4n65d swmi4n65d swui4n65d swd4n65d sws4n65d swb4n65d swp4n65d swmqi4n65d.pdf

SW4N65D SW4N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-251S/TO-251M/TO-251U/ TO-252/SOT-82/TO-263 /TO-220/TO-251MQ MOSFET Features TO-220F TO-251M TO-251U TO-251N TO-251S BVDSS : 650V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 2)@VGS=10V 1 1 1 1 1 2 2 2 Low Gate Charge (Typ 18nC) 2 RDS(ON) : 2 3 2 3 3 3 3 Improved dv/d
swn4n65dd swnc4n65dd swf4n65dd swmn4n65dd swd4n65dd swyn4n65dd.pdf

SW4N65DD N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-251N-S2/TO-220F/TO-220SF /TO-252/TO-220FTN MOSFET Features TO251N TO251N-S2 TO220F TO220SF TO252 TO220FTN BVDSS : 650V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 2.4)@VGS=10V RDS(ON) : 2.4 Low Gate Charge (Typ 16nC) 1 Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 2 1 1 3 2 100% Avalanche Tested 2
swf4n65da swn4n65da swd4n65da swnb4n65da.pdf

SW4N65DAN-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252/TO-251NX-S4 MOSFETFeaturesBVDSS : 650VTO-220F TO-251N TO-252 TO-251NX-S4ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 3.35)@VGS=10VRDS(ON) :3.35 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability D1 100% Avalanche Tested 1 1122 223 Application: Charger, Adaptor, 333LED, TV-Pow
swf4n65k2 swn4n65k2 swd4n65k2.pdf

SW4N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 650V TO-220F TO-251N TO-252 ID : 4 A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.10)@VGS=10V RDS(ON) : 1.10 Low Gate Charge (Typ 7.1nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 Application:LED, Charger, Adaptor 2 2 3 3 3 1 1. Gate 2
Другие MOSFET... SWK350R06VT , SWI350R06VT , SWD350R06VT , SWT38N65KF , SWT47N65K2 , SWI4N60DC , SWD4N60DC , SWF4N65D , IRF540 , SWSI4N65D , SWMI4N65D , SWUI4N65D , SWD4N65D , SWS4N65D , SWB4N65D , SWP4N65D , SWMQI4N65D .
History: FMC20N50ES | AOD3N60
History: FMC20N50ES | AOD3N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet