Справочник MOSFET. SWP4N65D

 

SWP4N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWP4N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для SWP4N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP4N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1049K  samwin
 swf4n65d swn4n65d swsi4n65d swmi4n65d swui4n65d swd4n65d sws4n65d swb4n65d swp4n65d swmqi4n65d.pdf pdf_icon

SWP4N65D

SW4N65D SW4N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-251S/TO-251M/TO-251U/ TO-252/SOT-82/TO-263 /TO-220/TO-251MQ MOSFET Features TO-220F TO-251M TO-251U TO-251N TO-251S BVDSS : 650V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 2)@VGS=10V 1 1 1 1 1 2 2 2 Low Gate Charge (Typ 18nC) 2 RDS(ON) : 2 3 2 3 3 3 3 Improved dv/d

Другие MOSFET... SWF4N65D , SWN4N65D , SWSI4N65D , SWMI4N65D , SWUI4N65D , SWD4N65D , SWS4N65D , SWB4N65D , IRFP260N , SWMQI4N65D , SWI4N70D , SWN4N70D , SWD4N70D , SWF4N70D , SWP630D , SWD630D , SWN6N70DA .

History: NTMFS5C670N | IPAN60R280PFD7S | WMO10N70C4 | BRCS139WS | PDN2312S | FDBL86366-F085 | PDN2309S

 

 
Back to Top

 


 
.