SWF6N70DA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SWF6N70DA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 34 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SWF6N70DA Datasheet (PDF)
sw6n70da swn6n70da swsi6n70da swui6n70da swd6n70da swf6n70da swi6n70da swnx6n70da swp6n70da swqi6n70da swmqi6n70da.pdf

SW6N70DAN-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F/TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFETTO251N TO251S TO251U TO252 TO220FFeaturesBVDSS : 700Vl High ruggednessID : 6Al Low RDS(ON) (Typ 1.7)1 1 RDS(ON) : 1.71 1 @VGS=10V 2 22 213 3 23 3l Low Gate Charge (Typ 26nC)32l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NXTO251 TO251MQ l
swn6n70da swsi6n70da swui6n70da swd6n70da swf6n70da swi6n70da swnx6n70da swp6n70da swqi6n70da swmqi6n70da.pdf

SW6N70DAN-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F/TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFETTO251N TO251S TO251U TO252 TO220FFeaturesBVDSS : 700Vl High ruggednessID : 6Al Low RDS(ON) (Typ 1.7)1 1 RDS(ON) : 1.71 1 @VGS=10V 2 22 213 3 23 3l Low Gate Charge (Typ 26nC)32l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NXTO251 TO251MQ l
swf6n70d.pdf

SW6N70D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features BVDSS : 700V TO-220F ID : 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.4)@VGS=10V RDS(ON) : 1.4 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application:Industrial Power,Adaptor, Charger 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description
swf6n70db swd6n70db swn6n70db.pdf

SW6N70DBN-channel Enhanced mode TO-220F /TO-252/TO-251N MOSFETFeaturesBVDSS : 700VTO-220F TO-252 TO-251NID : 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.4)@VGS=10VRDS(ON) : 1.4 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 21 100% Avalanche Tested112223 Application:LED, PC Power, Charger 3311. Gate 2. Drain 3. Source3Gen
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: AON7416 | SI7913DN | SQ1902AEL | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F
History: AON7416 | SI7913DN | SQ1902AEL | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568