SWF6N70K. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SWF6N70K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для SWF6N70K
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SWF6N70K даташит
swf6n70k swn6n70k swd6n70k.pdf
SW6N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-252 BVDSS 700V High ruggedness ID 6A Low RDS(ON) (Typ 1.1 )@VGS=10V RDS(ON) 1.1 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application Charger,LED,TV-Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1
sw6n70k swf6n70k swn6n70k swd6n70k.pdf
SW6N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 BVDSS 700V High ruggedness ID 6A Low RDS(ON) (Typ 1.1 )@VGS=10V RDS(ON) 1.1 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application Charge,LED,TV-Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source
sw6n70da swn6n70da swsi6n70da swui6n70da swd6n70da swf6n70da swi6n70da swnx6n70da swp6n70da swqi6n70da swmqi6n70da.pdf
SW6N70DA N-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F /TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFET TO251N TO251S TO251U TO252 TO220F Features BVDSS 700V l High ruggedness ID 6A l Low RDS(ON) (Typ 1.7 ) 1 1 RDS(ON) 1.7 1 1 @VGS=10V 2 2 2 2 1 3 3 2 3 3 l Low Gate Charge (Typ 26nC) 3 2 l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NX TO251 TO251MQ l
swf6n70d.pdf
SW6N70D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features BVDSS 700V TO-220F ID 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.4 )@VGS=10V RDS(ON) 1.4 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application Industrial Power,Adaptor, Charger 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description
Другие MOSFET... SWUI6N70DA , SWD6N70DA , SWF6N70DA , SWI6N70DA , SWNX6N70DA , SWP6N70DA , SWQI6N70DA , SWMQI6N70DA , 2SK3878 , SWN6N70K , SWD6N70K , SWN6N80D , SWF6N80D , SWD6N80D , SWU6N80D , SWJ6N80D , SWF7N60D .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z






