SWP7N60D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWP7N60D
Маркировка: SW7N60D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
Время нарастания (tr): 32 ns
Выходная емкость (Cd): 115 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-220
SWP7N60D Datasheet (PDF)
sw7n60d swf7n60d swp7n60d swi7n60d swd7n60d.pdf
SW7N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-220 TO-251 TO-252 BVDSS : 600V High ruggedness ID : 7A RDS(ON) (Typ 1.05)@VGS=10V RDS(ON) : 1.05 Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application:UPSInverter 3 3 3 3 TV
swf7n60d swp7n60d swi7n60d swd7n60d.pdf
SW7N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-220 TO-251 TO-252 BVDSS : 600V High ruggedness ID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.05)@VGS=10V RDS(ON) : 1.05 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application:UPSInverter 3 3 3
swp7n65d swi7n65d swn7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d.pdf
SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF /TO-262N/DFN5*6 MOSFETFeaturesTO-220 TO-251TO-251N TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.11 11122 Low Gate Charge (Typ 30nC) 223333 Improved dv/dt Capability DDFN5*6TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan
sw7n65d swp7n65d swi7n65d swn7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d.pdf
SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF /TO-262N/DFN5*6 MOSFETFeaturesTO-220 TO-251TO-251N TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.11 11122 Low Gate Charge (Typ 30nC) 223333 Improved dv/dt Capability DDFN5*6TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan
swf7n65k swmn7n65k swi7n65k swn7n65k swd7n65k swp7n65k.pdf
SW7N65K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220 MOSFET Features TO-220F TO-220SF TO-251 TO-251N TO-252 TO-220 BVDSS : 650V ID : 7A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.5)@VGS=10V RDS(ON) :0.5 Low Gate Charge (Typ 21nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 Applica
swp7n65d swi7n65d swn7n65d swui7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d swy7n65d.pdf
SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-251U/TO-252/TO-220F/TO-220SF/TO-262N/DFN5*6/TO-220FT MOSFETFeaturesTO-220 TO-251TO-251N TO-251U TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.11 11 112 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 22333 33 Improved dv/dt Capability DTO-220FT TO-262N DFN
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .