SWI7N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI7N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для SWI7N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI7N60D даташит

 ..1. Size:999K  samwin
sw7n60d swf7n60d swp7n60d swi7n60d swd7n60d.pdfpdf_icon

SWI7N60D

SW7N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-220 TO-251 TO-252 BVDSS 600V High ruggedness ID 7A RDS(ON) (Typ 1.05 )@VGS=10V RDS(ON) 1.05 Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application UPS Inverter 3 3 3 3 TV

 ..2. Size:1026K  samwin
swf7n60d swp7n60d swi7n60d swd7n60d.pdfpdf_icon

SWI7N60D

SW7N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-220 TO-251 TO-252 BVDSS 600V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.05 )@VGS=10V RDS(ON) 1.05 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application UPS Inverter 3 3 3

 7.1. Size:843K  samwin
swf7n60k swi7n60k.pdfpdf_icon

SWI7N60D

SW7N60K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251MOSFET Features TO-220F TO-251 BVDSS 600V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 0.5 )@VGS=10V RDS(ON) 0.5 Low Gate Charge (Typ 21nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application Adaptor LED 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Descr

 8.1. Size:1527K  samwin
swp7n65d swi7n65d swn7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d.pdfpdf_icon

SWI7N60D

SW7N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF / TO-262N/DFN5*6 MOSFET Features TO-220 TO-251 TO-251N TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1 ) @VGS=10V RDS(ON) 1.1 1 1 1 1 2 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 2 3 3 3 3 Improved dv/dt Capability D DFN5*6 TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan

Другие IGBT... SWD6N70K, SWN6N80D, SWF6N80D, SWD6N80D, SWU6N80D, SWJ6N80D, SWF7N60D, SWP7N60D, SPP20N60C3, SWD7N60D, SWP7N65D, SWI7N65D, SWN7N65D, SWD7N65D, SWF7N65D, SWMN7N65D, SWJ7N65D