SWD7N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWD7N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SWD7N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD7N60D даташит

 ..1. Size:999K  samwin
sw7n60d swf7n60d swp7n60d swi7n60d swd7n60d.pdfpdf_icon

SWD7N60D

SW7N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-220 TO-251 TO-252 BVDSS 600V High ruggedness ID 7A RDS(ON) (Typ 1.05 )@VGS=10V RDS(ON) 1.05 Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application UPS Inverter 3 3 3 3 TV

 ..2. Size:1026K  samwin
swf7n60d swp7n60d swi7n60d swd7n60d.pdfpdf_icon

SWD7N60D

SW7N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-220 TO-251 TO-252 BVDSS 600V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.05 )@VGS=10V RDS(ON) 1.05 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application UPS Inverter 3 3 3

 7.1. Size:608K  samwin
swd7n60k2f.pdfpdf_icon

SWD7N60D

SW7N60K2F N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET TO-252 BVDSS 600V Features ID 7A High ruggedness RDS(ON) 0.43 Low RDS(ON) (Typ 0.43 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 13nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED , Adaptor, Charger 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This pow

 8.1. Size:942K  samwin
swf7n65dd swn7n65dd swd7n65dd.pdfpdf_icon

SWD7N60D

SW7N65DD N-channel Enhanced mode TO-220F /TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 BVDSS 650V ID 7A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.1 )@VGS=10V RDS(ON) 1.1 Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application LED, Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. So

Другие IGBT... SWN6N80D, SWF6N80D, SWD6N80D, SWU6N80D, SWJ6N80D, SWF7N60D, SWP7N60D, SWI7N60D, SKD502T, SWP7N65D, SWI7N65D, SWN7N65D, SWD7N65D, SWF7N65D, SWMN7N65D, SWJ7N65D, SWHA7N65D