SWHA7N65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWHA7N65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SWHA7N65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWHA7N65D даташит

 ..1. Size:1527K  samwin
 swp7n65d swi7n65d swn7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d.pdf pdf_icon

SWHA7N65D

SW7N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF / TO-262N/DFN5*6 MOSFET Features TO-220 TO-251 TO-251N TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1 ) @VGS=10V RDS(ON) 1.1 1 1 1 1 2 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 2 3 3 3 3 Improved dv/dt Capability D DFN5*6 TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan

 ..2. Size:1524K  samwin
 sw7n65d swp7n65d swi7n65d swn7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d.pdf pdf_icon

SWHA7N65D

SW7N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF / TO-262N/DFN5*6 MOSFET Features TO-220 TO-251 TO-251N TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1 ) @VGS=10V RDS(ON) 1.1 1 1 1 1 2 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 2 3 3 3 3 Improved dv/dt Capability D DFN5*6 TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan

 ..3. Size:1401K  samwin
 swp7n65d swi7n65d swn7n65d swui7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d swy7n65d.pdf pdf_icon

SWHA7N65D

SW7N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-251U/TO-252/TO- 220F/TO-220SF/TO-262N/DFN5*6/TO-220FT MOSFET Features TO-220 TO-251 TO-251N TO-251U TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1 ) @VGS=10V RDS(ON) 1.1 1 1 1 1 1 2 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 2 2 3 3 3 3 3 Improved dv/dt Capability D TO-220FT TO-262N DFN

 6.1. Size:908K  samwin
 swn7n65m swd7n65m swf7n65m swha7n65m.pdf pdf_icon

SWHA7N65D

SW7N65M N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252/TO-220F/DFN5*6 MOSFET Features TO-251N TO-252 TO-220F DFN5*6 BVDSS 650V ID 7A High ruggedness 1 8 Low RDS(ON) (Typ 1.2 )@VGS=10V 2 7 RDS(ON) 1.2 6 3 Low Gate Charge (Typ 23nC) 4 5 Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 Application LED, Charger, PC Power 1 TO-251

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SWD7N60D, SWP7N65D, SWI7N65D, SWN7N65D, SWD7N65D, SWF7N65D, SWMN7N65D, SWJ7N65D, AON6380, SWD7N70D, SWN7N70D, SWJ7N70D, SWF7N70D, SWF7N80D, SWU7N80D, SWJ7N80D, SWI8N65DB