ZVN0540A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ZVN0540A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.09 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
Тип корпуса: ELINE
Аналог (замена) для ZVN0540A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ZVN0540A даташит
zvn0540a.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN0540A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D D E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V V V I T I V V ID VD V V I I V V
zvn0540astoa zvn0540astob zvn0540astz.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN0540A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D D E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V V V I T I V V ID VD V V I I V V
zvn0545gta zvn0545gtc.pdf
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN0545G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 - DECEMBER 1995 FEATURES * 450 Volts VDS D * RDS(on)= 50 * Ease of paralleling S D PARTMARKING DETAIL ZVN0545 G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 450 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 140 mA Pulsed Drain Current IDM 600 mA Gate-Source Voltage VGS
zvn0545astob zvn0545astz.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN0545A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 450 Volts VDS * RDS(on)= 50 D G S E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 450 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 90 mA Pulsed Drain Current IDM 600 mA Gate-Source Voltage VGS 20 V Power Dissipation at Tamb=25 C Pt
Другие MOSFET... TN0104N8 , VN10LF , VN10LP , VN2222LL , ZDM4206N , ZDM4306N , ZVN0120A , ZVN0124A , 7N65 , ZVN0545A , ZVN0545G , ZVN1409A , ZVN2106A , ZVN2106G , ZVN2110A , ZVN2110G , ZVN2120A .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor







