ZVN1409A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ZVN1409A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.01 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 6.5 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 250 Ohm
Тип корпуса: ELINE
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
ZVN1409A Datasheet (PDF)
zvn1409a.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENT9A ZVN1409AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 90 Volt VDS* Low input capacitanceVGS=10V * Fast switching8VD G6V S5VE-LineTO92 Compatible4VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.3VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT8 10Drain-Source Voltage VDS 90 VContinuous Drain Current ID 10 mAPulsed Drain Current IDM 40 mAGate Source Voltage VGS
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: IRFZ44ESPBF | RD3U040CN | SIF4N80C | OSG60R099HEZF | UF640L-TN3-R | SVS70R900SE3TR | 2SK2882
History: IRFZ44ESPBF | RD3U040CN | SIF4N80C | OSG60R099HEZF | UF640L-TN3-R | SVS70R900SE3TR | 2SK2882



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor