ZVN1409A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZVN1409A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.625 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 90 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.01 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 6.5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm
Тип корпуса: ELINE
ZVN1409A Datasheet (PDF)
..1. Size:48K diodes
zvn1409a.pdf
zvn1409a.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENT9A ZVN1409AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 90 Volt VDS* Low input capacitanceVGS=10V * Fast switching8VD G6V S5VE-LineTO92 Compatible4VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.3VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT8 10Drain-Source Voltage VDS 90 VContinuous Drain Current ID 10 mAPulsed Drain Current IDM 40 mAGate Source Voltage VGS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
