ZVN1409A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZVN1409A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.01 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 6.5 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 250 Ohm
Тип корпуса: ELINE
ZVN1409A Datasheet (PDF)
zvn1409a.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENT9A ZVN1409AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 90 Volt VDS* Low input capacitanceVGS=10V * Fast switching8VD G6V S5VE-LineTO92 Compatible4VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.3VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT8 10Drain-Source Voltage VDS 90 VContinuous Drain Current ID 10 mAPulsed Drain Current IDM 40 mAGate Source Voltage VGS
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918