ZVN2120A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZVN2120A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 85 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 10 Ohm
Тип корпуса: ELINE
ZVN2120A Datasheet (PDF)
zvn2120a r3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Obsolete. Alternative is ZVN0124A. N-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVN2120AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 200 Volt VDS* RDS(on)= 10 VGS=0V8V7VD6V G5V S4VE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.3VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT2VDrain-Source Voltage VDS 200 V8 10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 180 mAPulsed Drain Cu
zvn2120g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN2120GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 - FEBRUARY 1996 FEATURES:D* VDS - 200V* RDS(ON) - 10SPARTMARKING DETAIL - ZVN2120DGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 200 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 320 mAPulsed Drain Current IDM 2AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at
zvn2120c.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN2120CMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D DE-Line T V TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID 8 I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V V ID VD V V I
zvn2120gta zvn2120gtc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN2120GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 - FEBRUARY 1996 FEATURES:D* VDS - 200V* RDS(ON) - 10SPARTMARKING DETAIL - ZVN2120DGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 200 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 320 mAPulsed Drain Current IDM 2AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .