SSA47N60SFD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSA47N60SFD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 391 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 910 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SSA47N60SFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSA47N60SFD даташит

 ..1. Size:1289K  cn super semi
 ssw47n60sfd ssa47n60sfd.pdf pdf_icon

SSA47N60SFD

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power MOSFET With Fast-Recovery SS*47N60SFD Rev. 1.5 Jun. 2019 www.supersemi.com.cn March, 2016 SJ-FET SSW47N60SFD/SSA47N60SFD 600V N-Channel MOSFET With Fast-Recovery Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Mult

 5.1. Size:1214K  cn super semi
 ssw47n60s ssa47n60s.pdf pdf_icon

SSA47N60SFD

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power MOSFET SS*47N60S Rev. 1.3 Jun. 2019 www.supersemi.com.cn March, 2016 SJ-FET SSW47N60S/SSA47N60S 600V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism fo

Другие IGBT... SST70R450S2, SST60R280S2, SST65R280S2, SSW20N60S, SSA20N60S, SSW47N60S, SSA47N60S, SSW47N60SFD, 2SK3878, SSW50R100S, SSA50R100S, SSW50R100SFD, SSA50R100SFD, SSW80R240S, SSA80R240S, Y2N655S, YPN438S