Справочник MOSFET. Y2N655S

 

Y2N655S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: Y2N655S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для Y2N655S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

Y2N655S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1355K  cn silicon billion
y2n655s.pdfpdf_icon

Y2N655S

Xiamen Silicon-top opto electronics Co.,Ltd.Y2N 655S60V 10A N-Channel MOSFET Power MOSFET (2 IN 1)General FeaturesProprietary New Trench TechnologyUltra-low Miller ChargeRDS(ON),typ.=43m@VGS=10VLow Gate Charge Minimize Switching LossFast Recovery Body DiodeApplicationsHigh efficiency DC/DC Con

 9.1. Size:183K  ixys
ixtp2n65x2 ixty2n65x2.pdfpdf_icon

Y2N655S

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY2N65X2Power MOSFET ID25 = 2AIXTP2N65X2 RDS(on) 2.3 N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VTO-220 (IXTP)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient

 9.2. Size:168K  hy
hy2n65d.pdfpdf_icon

Y2N655S

SINGLEFIG.SINGLE CURVE FIG. 2 NON-T1 FORWARD CURRENTAMBIENT1 2MAXIMUM5 101 25 50 PHASE HALF WAVE 60Hz () 150 175 0.00 0.2 0.4 0.6 4 TEMPERATURE DERATING 100 75 10 20 100 125HY2N65D / HY2N65M 650V / 2A650V, RDS(ON)=4.6W@VGS=10V, ID=1AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-252 TO-251 Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Cha

 9.3. Size:146K  hy
hy2n65t.pdfpdf_icon

Y2N655S

HY2N65T / HY2N65FT650V / 2A650V, RDS(ON)=4.6W@VGS=10V, ID=1AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesTO-220AB ITO-220AB Low On-State Resistance Fast Switching Low Gate Charge & Low CRSS Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charger and SMPS In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 1 1

Другие MOSFET... SSW47N60SFD , SSA47N60SFD , SSW50R100S , SSA50R100S , SSW50R100SFD , SSA50R100SFD , SSW80R240S , SSA80R240S , SPP20N60C3 , YPN438S , ASM6115 , MMFTP3401 , GDSSF2300 , TSM10NC60CF , TSM150P04LCS , TSM2301A , TSM240N03CX .

History: SFG08R16DF | IRLB8721P | STP2301 | SGW080N055 | HY3906B | FS18SM-9 | APT30M75BFLL

 

 
Back to Top

 


 
.