Справочник MOSFET. ISCNH328W

 

ISCNH328W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ISCNH328W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для ISCNH328W

 

 

ISCNH328W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  inchange semiconductor
 iscnh328w.pdf

ISCNH328W ISCNH328W

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH328WFEATURESDrain Current : I = 6A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 1000V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.5(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.A

 7.1. Size:255K  inchange semiconductor
 iscnh320k.pdf

ISCNH328W ISCNH328W

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH320KFEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 135m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONLow gate chargeFast switching speedImproved dv/dt capab

 7.2. Size:261K  inchange semiconductor
 iscnh327p.pdf

ISCNH328W ISCNH328W

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH327PFEATURESDrain Current I = 200A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 85V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 6m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

 7.3. Size:304K  inchange semiconductor
 iscnh325w.pdf

ISCNH328W ISCNH328W

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH325WFEATURESDrain Current : I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 90m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.A

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top