ZVN3306F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZVN3306F
Маркировка: MC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.33 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 35 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5 Ohm
Тип корпуса: SOT23
ZVN3306F Datasheet (PDF)
zvn3306f.pdf
SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN3306FMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 JANUARY 1996FEATURES* RDS(on)=5S* 60 Volt VDSDCOMPLEMENTARY TYPE - ZVP3306FGPARTMARKING DETAIL - MCSOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 60 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 150 mAPulsed Drain Current IDM 3AGate-Source Voltage VGS 20
zvn3306fta zvn3306ftc.pdf
SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN3306FMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 JANUARY 1996FEATURES* RDS(on)=5S* 60 Volt VDSDCOMPLEMENTARY TYPE - ZVP3306FGPARTMARKING DETAIL - MCSOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 60 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 150 mAPulsed Drain Current IDM 3AGate-Source Voltage VGS 20
zvn3306fta.pdf
ZVN3306FTAwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition2.8 at VGS = 10 V60 250 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 ns Low Input and Output LeakageSOT-23 TrenchFET Power MOSFET 1200V ESD ProtectionG
zvn3306astoa zvn3306astob zvn3306astz.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN3306AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDSon)=5D G SID=E-Line1ATO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.0.5APARAMETER SYMBOL VALUE UNIT0.25ADrain-Source Voltage VDS 60 V10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 270 mAPulsed Drain Current IDM 3Acs Gate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissip
zvn3306a.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN3306AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDSon)=5D G SID=E-Line1ATO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.0.5APARAMETER SYMBOL VALUE UNIT0.25ADrain-Source Voltage VDS 60 V10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 270 mAPulsed Drain Current IDM 3Acs Gate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissip
Другие MOSFET... ZVN2106A , ZVN2106G , ZVN2110A , ZVN2110G , ZVN2120A , ZVN2120G , ZVN2535A , ZVN3306A , IRF1010E , ZVN3310A , ZVN3310F , ZVN3320A , ZVN3320F , ZVN4106F , ZVN4206A , ZVN4206AV , ZVN4206G .
