STH80N10LF7-2AG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STH80N10LF7-2AG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 33 ns
Выходная емкость (Cd): 1077 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm
Тип корпуса: H2PAK-2
Аналог (замена) для STH80N10LF7-2AG
STH80N10LF7-2AG Datasheet (PDF)
sth80n10lf7-2ag.pdf
STH80N10LF7-2AGDatasheetAutomotive-grade N-channel 100 V, 7 m typ., 80 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 packageFeaturesTABVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeSTH80N10LF7-2AG 100 V 10 m 80 A 110 W231 AEC-Q101 qualified Among the lowest RDS(on) on the marketH2PAK-2 Excellent FoM (figure of merit) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunityD(TA
sth80n10lf7.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor STH80N10LF7FEATURESDrain Current : I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 10m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
std80n10f7 stf80n10f7 sth80n10f7-2 stp80n10f7.pdf
STD80N10F7, STF80N10F7, STH80N10F7-2, STP80N10F7N-channel 100 V, 0.008 typ., 80 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, H2PAK-2 and TO-220Datasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) 3Order codes ID PTOTTJmax max1DPAK 3STD80N10F7 0.01 70 A 85 W21TO-220FP STF80N10F7 0.01 40 A 30 W100 VTABTAB STH80N10F7-2 0.0095 80 A
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: PSMN013-100BS
