Справочник MOSFET. SPC65R180G

 

SPC65R180G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPC65R180G
   Маркировка: 65R180G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SPC65R180G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:826K  cn sinai power
 spc65r180g spb65r180g.pdf pdf_icon

SPC65R180G

SPC65R180G,SPB65R180G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J New Technology For High Voltage Device R max. at 25oC (m) V =10V 180 DS(on) GS ID=20A(Vgs=10V) Q max. (nC) 75 g Ultra Low Gate Charge Q (nC) 17 gs Improved dv/dt Capability Q (nC) 26 gd RoHS Compli

 8.1. Size:768K  cn sinai power
 spc65r90g.pdf pdf_icon

SPC65R180G

SPC65R90G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J New Technology For High Voltage Device R max. at 25oC (m) V =10V 90 DS(on) GS ID=30A(Vgs=10V) Q max. (nC) 85 g Ultra Low Gate Charge Q (nC) 15 gs Improved dv/dt Capability Q (nC) 25 gd RoHS compliant Configu

 8.2. Size:718K  cn sinai power
 spc65r360g spe65r360g spd65r360g.pdf pdf_icon

SPC65R180G

SPC65R360G,SPE65R360G,SPD65R360G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J New Technology For High Voltage Device R max. at 25oC (m) V =10V 360 DS(on) GS ID=11.5A(Vgs=10V) Q max. (nC) 30 g Ultra Low Gate Charge Q (nC) 8.5 gs Improved dv/dt Capability Q (nC) 7.5 gd

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.