ZVN4206G - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

ZVN4206G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: ZVN4206G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для ZVN4206G

ZVN4206G Datasheet (PDF)

..1. Size:52K diodes
zvn4206g.pdf

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN4206GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 - JANUARY 1996 .FEATURES* Compact geometryD* Fast switching speeds* No secondary breakdown and Excellent temperature stability* High input impedance and low current driveS* Ease of parrallelingDG5C(2)APPLICATIONS* DC-DC converters* Solenoid / relay drivers for automotive applications* Stepp

0.1. Size:80K diodes
zvn4206gv.pdf

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN4206GVMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 - APRIL 1998FEATURES* 60 Volt VDSD* RDS(on)= 1* Repetitive avalanche rating* No transient protection requiredS* Characterised for 5V logic driveDAPPLICATIONSG* Automotive relay drivers* Stepper motor driverPARTMARKING DETAIL - ZVN4206VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT

0.2. Size:77K diodes
zvn4206gvtc.pdf