SPC7N65G - описание и поиск аналогов

 

SPC7N65G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPC7N65G

Маркировка: 7N65G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 37 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SPC7N65G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPC7N65G даташит

 ..1. Size:835K  cn sinai power
 spc7n65g.pdf pdf_icon

SPC7N65G

SPC7N65G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=7A(Vgs=10V) R max. at 25oC ( ) V =10V 1.3 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 42 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 6 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 12 gd RoHS compliant Configuration single Appl

Другие MOSFET... SPC20N65G , SPC4N65G , SPC65R180G , SPB65R180G , SPC65R360G , SPE65R360G , SPD65R360G , SPC65R90G , AON7506 , SPC9N50G , SPD3N80G , SPD5N50G , SPD7N65G , SPE4N65G , SPE7N65G , TDM31035 , TDM31050 .

History: RCX511N25

 

 

 

 

↑ Back to Top
.