TDM3434 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TDM3434
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 17 nC
Время нарастания (tr): 11.5 ns
Выходная емкость (Cd): 750 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0031 Ohm
Тип корпуса: TO252
TDM3434 Datasheet (PDF)
tdm3434.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3434DESCRIPTIONTheTDM3434usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3436.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3436DESCRIPTIONTheTDM3436usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3432.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3432DESCRIPTIONTheTDM3432usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3430.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3430DESCRIPTIONTheTDM3430usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
