TDM3458 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

TDM3458. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TDM3458

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8

Аналог (замена) для TDM3458

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

TDM3458 даташит

..1. Size:383K techcode semi
tdm3458.pdf pdf_icon

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3458 DESCRIPTION The TDM3458 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

8.1. Size:330K techcode semi
tdm3452.pdf pdf_icon

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3452 DESCRIPTION The TDM3452 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

9.1. Size:374K techcode semi
tdm3428b.pdf pdf_icon

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3428B DESCRIPTION The TDM3428B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

9.2. Size:633K techcode semi
tdm3407.pdf pdf_icon

DATASHEET Techcode P-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3407 DESCRIPTION The TDM3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES 40V PMOS RDS(ON)