TDM3512. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TDM3512

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm

Тип корпуса: PPAK3X3-8

Аналог (замена) для TDM3512

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TDM3512 даташит

 ..1. Size:373K  techcode semi
 tdm3512.pdf pdf_icon

TDM3512

 8.1. Size:217K  techcode semi
 tdm3510.pdf pdf_icon

TDM3512

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3510 DESCRIPTION The TDM3510 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

 9.1. Size:604K  techcode semi
 tdm3532.pdf pdf_icon

TDM3512

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3532 DESCRIPTION The TDM3532 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

 9.2. Size:768K  techcode semi
 tdm3548.pdf pdf_icon

TDM3512

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3548 DESCRIPTION The TDM3548 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TDM3452, TDM3458, TDM3466, TDM3478, TDM3482, TDM3484, TDM3508, TDM3510, RU7088R, TDM3532, TDM3534, TDM3536, TDM3548, TDM3726, TDM3736, TDM3742, TDM3744