TDM3744 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TDM3744
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 272 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 196 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 74 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 1317 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0039 Ohm
Тип корпуса: TO220
TDM3744 Datasheet (PDF)
tdm3744.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3744DESCRIPTIONTheTDM3744usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 80V/196ARDS(ON)
tdm3742.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3742DESCRIPTIONTheTDM3742usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 80V/196ARDS(ON)
tdm3726.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3726DESCRIPTIONTheTDM3726usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3736.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3736DESCRIPTIONTheTDM3736usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 100V/112ARDS(ON)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
