TF2301. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TF2301

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для TF2301

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TF2301 даташит

 ..1. Size:677K  cn tuofeng
 tf2301.pdf pdf_icon

TF2301

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS TF2301 TF2301 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 0.100 @-4.5V -20V -2.8A 3 0.130 @-2.5V 1.GATE 2.SOURCE 3.DRAIN 1 2 General FEATURE TrenchFET Power MOSFET MARKING Equivalent Circuit Lead free product is acquired Surface mount package - A1sHB w APPLICATION

 0.1. Size:703K  cn tuofeng
 tf2301a.pdf pdf_icon

TF2301

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS TF2301A TF2301A P-Channel 20-V(D-S) MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 0.085 @-4.5V -20V -3.0A 3 0.110 @-2.5V 1.GATE 2.SOURCE 3.DRAIN 1 2 General FEATURE TrenchFET Power MOSFET MARKING Equivalent Circuit Lead free product is acquired Surface mount package A1 w APPLICATION L

 9.1. Size:57K  ixys
 ixtf230n085t.pdf pdf_icon

TF2301

Advance Technical Information VDSS = 85 V IXTF230N085T TrenchMVTM ID25 = 130 A Power MOSFET RDS(on) 5.3 m (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode ISOPLUS i4-PakTM (5-lead) (IXTF) Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 85 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V G VGSM Tran

 9.2. Size:627K  cn tuofeng
 tf2307.pdf pdf_icon

TF2301

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS TF2307 TF2307 P-Channel 30-V(D-S) MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 0.075 @-10V -30V -3.5A 3 0.095 @-4.5V 1.GATE 2.SOURCE 3.DRAIN 1 2 General FEATURE TrenchFET Power MOSFET MARKING Equivalent Circuit Lead free product is acquired Surface mount package A79TF w APPLICATION L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TDM3534, TDM3536, TDM3548, TDM3726, TDM3736, TDM3742, TDM3744, TF2300, IRF740, TF2302, TF2305B, TF2306, TF2310, TF3400, TF3401, TF3402, TF3407