SL3422 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SL3422
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 2.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
Тип корпуса: SOT23
SL3422 Datasheet (PDF)
sl3422.pdf
SL3422MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICSStatic Electrical Characteristics (Ta = 25 Unless Otherwise Noted)Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max UnitStaticDrain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 250A60 VGate-source threshold voltage VGS(th) VDS =VGS, ID = 250A0.9 3 VGate-source leakage IGSS VDS =0V, VGS = 20V100 nAZero gate voltage drain cur
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: IPB037N06N3G
History: IPB037N06N3G
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918