SL4N65F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SL4N65F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
Тип корпуса: TO220FT
Аналог (замена) для SL4N65F
SL4N65F Datasheet (PDF)
sl4n65f sl4n65i sl4n65d.pdf

SL4N65N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS4AID650VVDSS2.6R V =10VDS(ON) GS18nCQGAPPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power suppliesFEATURES 1 Gate Low
sl4n65.pdf

SL4N65N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS4AID650VVDSS2.6R V =10VDS(ON) GS18nCQGAPPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power suppliesFEATURES 1 Gate Low
Другие MOSFET... SL3407 , SL3409 , SL3415 , SL3422 , SL3N06 , SL420NPD , SL42N120A , SL48N08Q , P60NF06 , SL4N65I , SL4N65D , SL60N06 , SL60N10Q , SL65N10Q , SL75N06Q , SL7N65F , SL7N65C .
History: SQD50N04-5M6 | NCE60P09S | IRF3711ZCS | APT17N80SC3G | GSM2306AE | NTB60N06G | HAT2080R
History: SQD50N04-5M6 | NCE60P09S | IRF3711ZCS | APT17N80SC3G | GSM2306AE | NTB60N06G | HAT2080R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f