SL75N06Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SL75N06Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SL75N06Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL75N06Q даташит

 ..1. Size:1074K  slkor
 sl75n06q.pdf pdf_icon

SL75N06Q

SL75N06Q N-Channel Power MOSFET General Description Product Summary Very low on-resistance RDS(ON) VDS 60V Low Gate Charge ID 75A Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие IGBT... SL42N120A, SL48N08Q, SL4N65F, SL4N65I, SL4N65D, SL60N06, SL60N10Q, SL65N10Q, IRFZ46N, SL7N65F, SL7N65C, SL80N10, SL8205S, 2N06L07B, 2N06L07P, 2N06L09B, 2N06L09P