Справочник MOSFET. SL75N06Q

 

SL75N06Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL75N06Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для SL75N06Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL75N06Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1074K  slkor
 sl75n06q.pdf pdf_icon

SL75N06Q

SL75N06QN-Channel Power MOSFET General DescriptionProduct Summary Very low on-resistance RDS(ON)VDS 60V Low Gate ChargeID 75A Excellent Gate Charge x RDS(ON) ProductRDS(ON) (at VGS =10V)

Другие MOSFET... SL42N120A , SL48N08Q , SL4N65F , SL4N65I , SL4N65D , SL60N06 , SL60N10Q , SL65N10Q , STP65NF06 , SL7N65F , SL7N65C , SL80N10 , SL8205S , 2N06L07B , 2N06L07P , 2N06L09B , 2N06L09P .

History: IPU60R1K4C6 | HY1906P

 

 
Back to Top

 


 
.