SL7N65C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SL7N65C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO220C
Аналог (замена) для SL7N65C
SL7N65C Datasheet (PDF)
sl7n65f sl7n65c.pdf

SL7N65N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS7AID650VVDSS1.4R V =10VDS(ON) GS30nCQGAPPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power suppliesFEATURES 1 Gate Low
sl7n65.pdf

SL7N65N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS7AID650VVDSS1.4R V =10VDS(ON) GS30nCQGAPPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power suppliesFEATURES 1 Gate Low
Другие MOSFET... SL4N65F , SL4N65I , SL4N65D , SL60N06 , SL60N10Q , SL65N10Q , SL75N06Q , SL7N65F , 60N06 , SL80N10 , SL8205S , 2N06L07B , 2N06L07P , 2N06L09B , 2N06L09P , 2N06L11B , 2N06L11K .
History: P1615ATA | SSF3604 | RQ1E050RPTR | SM2202NSQG | AP4P052H | HSW8810 | SPE7N65G
History: P1615ATA | SSF3604 | RQ1E050RPTR | SM2202NSQG | AP4P052H | HSW8810 | SPE7N65G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet