SL8205S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SL8205S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 312 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
Аналог (замена) для SL8205S
SL8205S Datasheet (PDF)
sl8205s.pdf

SL8205S Power MOSFET Dual N-Channel APPLIACTION FEATURES Portable Equipment 20V 5A N-channel Trench Mosfet Battery Powered System RDSON27m @Vgs=4.5V, Id=5A RDSON36m @Vgs=2.5V, Id=3A Low gate Charge Fast switching capability High reliability and rugged SYMBOL SOT-23-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vo
Другие MOSFET... SL4N65D , SL60N06 , SL60N10Q , SL65N10Q , SL75N06Q , SL7N65F , SL7N65C , SL80N10 , IRF520 , 2N06L07B , 2N06L07P , 2N06L09B , 2N06L09P , 2N06L11B , 2N06L11K , 2N06L11P , 2SK2799 .
History: IRL8113 | NTF3055-160T3LF | HFD8N65U
History: IRL8113 | NTF3055-160T3LF | HFD8N65U



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont