SL8205S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SL8205S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
trⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 312 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
SL8205S Datasheet (PDF)
sl8205s.pdf
SL8205S Power MOSFET Dual N-Channel APPLIACTION FEATURES Portable Equipment 20V 5A N-channel Trench Mosfet Battery Powered System RDSON27m @Vgs=4.5V, Id=5A RDSON36m @Vgs=2.5V, Id=3A Low gate Charge Fast switching capability High reliability and rugged SYMBOL SOT-23-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vo
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918