Справочник MOSFET. 2N06L11B

 

2N06L11B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N06L11B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для 2N06L11B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N06L11B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  inchange semiconductor
2n06l11b.pdfpdf_icon

2N06L11B

isc N-Channel MOSFET Transistor 2N06L11BFEATURESDrain Current : I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 55V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 11m(Max)@V =10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid d

 7.1. Size:288K  inchange semiconductor
2n06l11p.pdfpdf_icon

2N06L11B

isc N-Channel MOSFET Transistor 2N06L11PFEATURESDrain Current : I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 55V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 11m(Max)@V =10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid d

 7.2. Size:282K  inchange semiconductor
2n06l11k.pdfpdf_icon

2N06L11B

isc N-Channel MOSFET Transistor 2N06L11KFEATURESDrain Current : I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 55V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 11m(Max)@V =10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid d

 9.1. Size:170K  1
std12n05l-1 std12n05lt4 std12n06l-1 std12n06lt4.pdfpdf_icon

2N06L11B

STD12N05LSTD12N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD12N05L 50 V

Другие MOSFET... SL7N65F , SL7N65C , SL80N10 , SL8205S , 2N06L07B , 2N06L07P , 2N06L09B , 2N06L09P , 2N7002 , 2N06L11K , 2N06L11P , 2SK2799 , 2SK2816 , 2SK2817 , 2SK2818 , 2SK2819 , 2SK2820 .

History: STB150NF55 | IPI26CN10N | TPCF8304 | IRFSL41N15D | VS3645GE | HM4487A | DMP3025LK3

 

 
Back to Top

 


 
.