Справочник MOSFET. 2SK2816

 

2SK2816 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK2816
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   tonⓘ - Время включения: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для 2SK2816

 

 

2SK2816 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:868K  1
 2sk2816.pdf

2SK2816 2SK2816

 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
 2sk2816.pdf

2SK2816 2SK2816

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2816FEATURESDrain Current : I = 5.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.16(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.AB

 8.1. Size:921K  1
 2sk2819.pdf

2SK2816 2SK2816

 8.2. Size:881K  1
 2sk2817.pdf

2SK2816 2SK2816

 8.3. Size:286K  inchange semiconductor
 2sk2819.pdf

2SK2816 2SK2816

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2819FEATURESDrain Current : I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 40m(Max) @V =4VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid dr

 8.4. Size:286K  inchange semiconductor
 2sk2817.pdf

2SK2816 2SK2816

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2817FEATURESDrain Current : I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.1(Max) @V =4VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid dr

 8.5. Size:286K  inchange semiconductor
 2sk2818.pdf

2SK2816 2SK2816

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2818FEATURESDrain Current : I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 70m(Max) @V =4VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid dr

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top