2SK2816. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2816

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для 2SK2816

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2816 даташит

 ..1. Size:868K  1
 2sk2816.pdf pdf_icon

2SK2816

 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
 2sk2816.pdf pdf_icon

2SK2816

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2816 FEATURES Drain Current I = 5.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.16 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. AB

 8.1. Size:921K  1
 2sk2819.pdf pdf_icon

2SK2816

 8.2. Size:881K  1
 2sk2817.pdf pdf_icon

2SK2816

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N06L07B, 2N06L07P, 2N06L09B, 2N06L09P, 2N06L11B, 2N06L11K, 2N06L11P, 2SK2799, IRFP064N, 2SK2817, 2SK2818, 2SK2819, 2SK2820, 2SK2821, 2SK2826, 2SK2826-S, 2SK2826-ZJ