Справочник MOSFET. ZVNL535A

 

ZVNL535A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZVNL535A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.09 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 40 Ohm
   Тип корпуса: ELINE
 

 Аналог (замена) для ZVNL535A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZVNL535A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:22K  diodes
 zvnl535a.pdf pdf_icon

ZVNL535A

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVNL535AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 350 Volt VDS* RDS(on)=40D G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 350 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 90 mAPulsed Drain Current IDM 800 mAGate Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at Tamb=25C Ptot

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SM6128NSU

 

 
Back to Top

 


 
.