ZVNL535A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZVNL535A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.09 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 40 Ohm
Тип корпуса: ELINE
ZVNL535A Datasheet (PDF)
zvnl535a.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENTZVNL535AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 350 Volt VDS* RDS(on)=40D G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 350 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 90 mAPulsed Drain Current IDM 800 mAGate Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at Tamb=25C Ptot
Другие MOSFET... ZVN4306GV , ZVN4310A , ZVN4310G , ZVN4424A , ZVN4424G , ZVNL110A , ZVNL110G , ZVNL120A , 75N75 , ZVP0120A , ZVP0535A , ZVP0540A , ZVP0545A , ZVP0545G , ZVP1320A , ZVP1320F , ZVP2106A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918