Справочник MOSFET. ZVP0535A

 

ZVP0535A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ZVP0535A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.7 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 350 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.05 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Выходная емкость (Cd): 120 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 100 Ohm
   Тип корпуса: ELINE

 Аналог (замена) для ZVP0535A

 

 

ZVP0535A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:72K  diodes
zvp0535a.pdf

ZVP0535A
ZVP0535A

P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP0535AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D VGS=-10V -8V-6VD-5VE-LineTO92 Compatible-4VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V-10 i D i T ID I D i ID 8 V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V V

 9.1. Size:40K  diodes
zvp0545astoa zvp0545astob zvp0545astz.pdf

ZVP0535A

P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP0545AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D DE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V V ID VD V V I I V V

 9.2. Size:40K  diodes
zvp0545gta zvp0545gtc.pdf

ZVP0535A

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP0545GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 1 MARCH 98FEATURES* 450 Volt VDSD* RDS(on)=150SDGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS -450 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID -75 mAPulsed Drain Current IDM -400 mAGate Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at Tamb=25C Ptot 2WOperatin

 9.3. Size:45K  diodes
zvp0545g.pdf

ZVP0535A
ZVP0535A

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP0545GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 1 MARCH 98FEATURES* 450 Volt VDSD* RDS(on)=150SDGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS -450 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID -75 mAPulsed Drain Current IDM -400 mAGate Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at Tamb=25C Ptot 2WOperatin

 9.4. Size:54K  diodes
zvp0545a.pdf

ZVP0535A

P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP0545AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D DE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V V ID VD V V I I V V

 9.5. Size:25K  diodes
zvp0540a.pdf

ZVP0535A

P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP0540AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D DE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V V V I V V ID VD V T I V I I V V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top