Справочник MOSFET. 2SK3058-Z

 

2SK3058-Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK3058-Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 58 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
   Время нарастания (tr): 410 ns
   Выходная емкость (Cd): 550 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO220SMD

 Аналог (замена) для 2SK3058-Z

 

 

2SK3058-Z Datasheet (PDF)

 0.1. Size:357K  inchange semiconductor
2sk3058-zj.pdf

2SK3058-Z
2SK3058-Z

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3058-ZJFEATURESDrain Current : I = 55A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 17m(Max)@ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

 6.1. Size:283K  inchange semiconductor
2sk3058-s.pdf

2SK3058-Z
2SK3058-Z

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3058-SFEATURESDrain Current : I = 55A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 17m(Max)@ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

 7.1. Size:76K  1
2sk3058.pdf

2SK3058-Z
2SK3058-Z

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3058SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTION ORDERING INFORMATION This product is N-Channel MOS Field Effect TransistorPART NUMBER PACKAGEdesigned for high current switching applications.2SK3058 TO-220AB2SK3058-S TO-262FEATURES Super Low On-State Resistance 2SK3058-ZJ TO-263RDS(on)1 = 17 m MAX. (VGS = 10

 7.2. Size:289K  inchange semiconductor
2sk3058.pdf

2SK3058-Z
2SK3058-Z

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3058FEATURESDrain Current : I = 55A@ T =25D CDrain Source Voltage: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 17m(Max)@ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid d

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top