Справочник MOSFET. 2SK3060

 

2SK3060 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3060
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 600 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:81K  1
2sk3060.pdfpdf_icon

2SK3060

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3060SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SK3060 is N-Channel MOS Field Effect TransistorPART NUMBER PACKAGEdesigned for high current switching applications.2SK3060 TO-220AB2SK3060-S TO-262FEATURES Low on-state resistance2SK3060-ZJ TO-263RDS(on)1 = 13 m MAX. (VGS = 10 V, ID

 ..2. Size:289K  inchange semiconductor
2sk3060.pdfpdf_icon

2SK3060

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3060FEATURESDrain Current : I = 70A@ T =25D CDrain Source Voltage: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 13m(Max)@ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid d

 0.1. Size:357K  inchange semiconductor
2sk3060-z.pdfpdf_icon

2SK3060

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3060-ZFEATURESDrain Current : I = 70A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 13m(Max)@ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

 0.2. Size:283K  inchange semiconductor
2sk3060-s.pdfpdf_icon

2SK3060

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3060-SFEATURESDrain Current : I = 70A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 13m(Max)@ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.