SIA517. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SIA517
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
Тип корпуса: DFN2X2-6L
Аналог (замена) для SIA517
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIA517 даташит
sia517.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET SiA517 N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET DFN2X2-6L PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) 1 S1 0.029 at VGS = 4.5 V 4.5a 2 G1 0.034 at VGS = 2.5 V 4.5a 3 D1 N-Channel 12 5.6 nC D2 0.044 at VGS = 1.8 V 4.5a D1 D2 6 0.065 at VGS = 1.5 V 4.5a G2 5 2.05 mm 0.061 at V
sia517dj.pdf
New Product SiA517DJ Vishay Siliconix N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.029 at VGS = 4.5 V 4.5a TrenchFET Power MOSFETs 0.034 at VGS = 2.5 V 4.5a N-Channel 12 5.6 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.044 at VGS = 1.8 V 4.5a SC-70 Packag
sia517dj.pdf
SMD Type MOSFET Complementary Trench MOSFET SIA517DJ (KIA517DJ) DFN2X2-6L Features N-Channel VDS (V) = 12V ID = 4.5 A (VGS = 4.5V) 1 S1 RDS(ON) 29m (VGS = 4.5V) 2 G1 RDS(ON) 34m (VGS = 2.5V) 3 D1 D2 RDS(ON) 44m (VGS = 1.8V) D1 D2 6 RDS(ON) 65m (VGS = 1.5V) G2 5 2.05 mm 2.05 mm S2 P-Channel 4 VDS (V) = -12V
sia513dj.pdf
New Product SiA513DJ Vishay Siliconix N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETs 0.060 at VGS = 4.5 V 4.5a N-Channel 20 3.5 nC New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.092 at VGS = 2.5 V 4.5a COMPLIANT SC-70 Package 0.110 at VGS = - 4.5 V - 4.5a - Small Footprint
Другие MOSFET... 7409B , 7410 , 7430 , 7506 , 7788 , 8810B , 90N03L , S8205B , IRF830 , SLP6N70U , SLF6N70U , TF2015 , TF2301A , TF2302A , TF2307 , TF2312 , TF2317 .
History: FDB150N10 | STB9NK90Z | IRF3315SPBF | FDT86256 | FS10UM-9 | TK10A80W | 90N03L
History: FDB150N10 | STB9NK90Z | IRF3315SPBF | FDT86256 | FS10UM-9 | TK10A80W | 90N03L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n








