Справочник MOSFET. TPH1R403NL

 

TPH1R403NL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TPH1R403NL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 64 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 150 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 46 nC
   Время нарастания (tr): 5.6 ns
   Выходная емкость (Cd): 1800 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0014 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для TPH1R403NL

 

 

TPH1R403NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  toshiba
tph1r403nl.pdf

TPH1R403NL
TPH1R403NL

TPH1R403NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPH1R403NLTPH1R403NLTPH1R403NLTPH1R403NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 10.6 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resist

 9.1. Size:773K  toshiba
tph1r712md.pdf

TPH1R403NL
TPH1R403NL

TPH1R712MDMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TPH1R712MDTPH1R712MDTPH1R712MDTPH1R712MD1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Lithium-Ion Secondary Batteries Power Management Switches2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.35 m (typ.) (VGS = -4.5 V)(2) Low leakage current: IDS

 9.2. Size:451K  toshiba
tph1r005pl.pdf

TPH1R403NL
TPH1R403NL

TPH1R005PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPH1R005PLTPH1R005PLTPH1R005PLTPH1R005PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 24 nC (typ.)(3) Small output charge: Qoss =

 9.3. Size:674K  toshiba
tph1r306pl.pdf

TPH1R403NL
TPH1R403NL

TPH1R306PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPH1R306PLTPH1R306PLTPH1R306PLTPH1R306PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 22 nC (typ.)(3) Small out

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SIR158DP

 

 
Back to Top