ZVP3306A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZVP3306A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.16 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm
Тип корпуса: ELINE
ZVP3306A Datasheet (PDF)
zvp3306a.pdf
P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP3306AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD VGS=D -16V -14V-12VD-10VE-Line-9V-8V TO92 Compatible-7VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-6V T V IT-5V-4.5VD i V I VD V8 -10 i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I
zvp3306astoa zvp3306astob.pdf
P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP3306AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD VGS=D -16V -14V-12VD-10VE-Line-9V-8V TO92 Compatible-7VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-6V T V IT-5V-4.5VD i V I VD V8 -10 i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I
zvp3306fta zvp3306ftc.pdf
SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT6F ZVP3306FMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 JANUARY 1996 T V I VD DS V D V V T I D T I VG T T V V V 8VSOT23 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. V T V IT V VD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I
zvp3306f.pdf
SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT6F ZVP3306FMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 JANUARY 1996 T V I VD DS V D V V T I D T I VG T T V V V 8VSOT23 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. V T V IT V VD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I
zvp3306fta.pdf
ZVP3306FTAwww.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () VGS(th) (V) ID (mA)Definition TrenchFET Power MOSFET- 60 3 at VGS = - 10 V - 1 to - 3 -500 High-Side Switching Low On-Resistance: 3 Low Threshold: - 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.) Lo
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918