WSD2018DN22 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WSD2018DN22
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: DFNWB2X2-6L-J
Аналог (замена) для WSD2018DN22
WSD2018DN22 Datasheet (PDF)
wsd2018dn22.pdf
WSD2018DN22N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD2018DN22 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 20V 15m(MAX) 12Agate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSD2018DN22 meet the RoHS and Green Product requirement
wsd2018adn22.pdf
WSD2018ADN22N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD2018ADN22 is the highestBVDSS RDSON ID performance trench N-Ch MOSFET withextreme high cell density , which provide20V 9.5m 11Aexcellent RDSON and gate charge for most ofthe small power switching and load switchApplications applications.The WSD2018ADN22 meet the RoHS and High Frequency Point-of-Load S
wsd2018bdn22.pdf
WSD2018BDN22N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD2018BDN22 is the highest BVDSS RDSON ID performance trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide 12V 11.5m(MAX) 12.3Aexcellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSD2018BDN22 meet the RoHS and Green Product req
wsd2012dn25.pdf
WSD2012DN25N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD2012DN25 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFETs with extreme high cell 9.5m(max)density , which provide excellent RDSON and gate 20V 11Acharge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSD2012DN25 meet the RoHS and Green Power management
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918