SE150180GTS - описание и поиск аналогов

 

SE150180GTS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE150180GTS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 164 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 476 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm

Тип корпуса: TO247S

Аналог (замена) для SE150180GTS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE150180GTS даташит

 ..1. Size:339K  cn sino-ic
 se150180gts.pdf pdf_icon

SE150180GTS

SE150180GTS N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features For a single MOSFET Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and V = 150V DS low operation voltage. This device is R =4.8m @V =10V DS(ON) GS suitable for using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outlin

 5.1. Size:397K  cn sino-ic
 se150180g.pdf pdf_icon

SE150180GTS

SE150180G N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features For a single MOSFET Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and V = 150V DS low operation voltage. This device is R =4.4m @V =10V DS(ON) GS suitable for using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

 8.1. Size:490K  cn sino-ic
 se150110g.pdf pdf_icon

SE150180GTS

Другие MOSFET... SE120120G , SE12060GA , SE1216 , SE12N50FRA , SE12N65 , SE138U , SE150110G , SE150180G , IRF1407 , SE15N50FRA , SE18NS65A , SE1991G , SE1991GA , SE200100G , SE20040 , SE20075 , SE2060 .

History: AP9987GJ | AP3N3R3M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.